Perfectionnement d'une nouvelle technique de dopage de silicium de type P en type N / Ndeye Coumba Yandé Fall / Ziguinchor : Université Assane Seck de Ziguinchor (2016)

Public ISBD Titre : Perfectionnement d'une nouvelle technique de dopage de silicium de type P en type N Type de document : texte imprimé Auteurs : Ndeye Coumba Yandé Fall, Auteur ; Diouma Kobor, Directeur de la recherche Editeur : Ziguinchor : Université Assane Seck de Ziguinchor, 2016 Importance : 50 p. Présentation : ill. en coul. Format : 30 cm Accompagnement : CD Langues : Français (fre) Mots-clés : Cellule solaire  Jonction PN  Oxyde de phosphore  SIMS  MEB  Méthode sol-gel  Monocristallin Index. décimale : MP 16/6 Perfectionnement d'une nouvelle technique de dopage de silicium de type P en type N [texte imprimé] / Ndeye Coumba Yandé Fall, Auteur ; Diouma Kobor, Directeur de la recherche . - Ziguinchor : Université Assane Seck de Ziguinchor, 2016 . - 50 p. : ill. en coul. ; 30 cm + CD. Langues : Français (fre) Mots-clés : Cellule solaire  Jonction PN  Oxyde de phosphore  SIMS  MEB  Méthode sol-gel  Monocristallin Index. décimale : MP 16/6

Exemplaires (1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
007921 7605	MP 16/6 ex.1	Mémoires	Bibliothèque Centrale	Thèse, Mémoire	Exclu du prêt

---

1 (1 - 1 / 1) Par page : 25 50 100 200