Dopage de silicium type p en type n par voie sol-gel et spin-coating. Mémoire de master / Rémi Ndioukane / Ziguinchor : Université Assane Seck de Ziguinchor (2013)

Public ISBD Titre de série : Dopage de silicium type p en type n par voie sol-gel et spin-coating Titre : Mémoire de master : Physique Type de document : texte imprimé Auteurs : Rémi Ndioukane, Auteur ; Diouma Kobor, Directeur de la recherche Editeur : Ziguinchor : Université Assane Seck de Ziguinchor, 2013 Importance : 49 p. Présentation : ill. en coul. Format : 30 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Silicium type p en type n  sol-gel  Spin-coating  Cellule solaire  Energie solaire  Technique de dopage  Spectrométrie de masse d'ions secondaires Index. décimale : MP 13/4 Dopage de silicium type p en type n par voie sol-gel et spin-coating. Mémoire de master : Physique [texte imprimé] / Rémi Ndioukane, Auteur ; Diouma Kobor, Directeur de la recherche . - Ziguinchor : Université Assane Seck de Ziguinchor, 2013 . - 49 p. : ill. en coul. ; 30 cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : Silicium type p en type n  sol-gel  Spin-coating  Cellule solaire  Energie solaire  Technique de dopage  Spectrométrie de masse d'ions secondaires Index. décimale : MP 13/4

Exemplaires(1)

Code-barres	Cote	Support	Localisation	Section	Disponibilité
0079217409	MP 13/4 ex.1	Livre	Bibliothèque Centrale	Thèse, Mémoire	Exclu du prêt

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